RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
39
Por volta de 36% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
12.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.6
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
39
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
12.8
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
11.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
2089
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMT451U7AFR8C-RD 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link