RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
39
Por volta de 36% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
12.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.6
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
39
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
12.8
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
11.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
2089
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link