RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
39
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
39
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
12.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2089
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link