RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
39
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
39
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
12.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2089
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link