Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB

Pontuação geral
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Pontuação geral
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A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    16.1 left arrow 15.7
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    24 left arrow 25
    Por volta de -4% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    12.3 left arrow 10.1
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 12800
    Por volta de 1.33 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    25 left arrow 24
  • Velocidade de leitura, GB/s
    16.1 left arrow 15.7
  • Velocidade de escrita, GB/s
    10.1 left arrow 12.3
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2764 left arrow 2517
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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