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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
25
左右 -4% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.3
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
24
读取速度,GB/s
16.1
15.7
写入速度,GB/s
10.1
12.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2517
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
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Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
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