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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
65
81
左右 20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.0
2,784.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
81
读取速度,GB/s
4,806.8
13.5
写入速度,GB/s
2,784.6
7.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
1523
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Kingston KYXC0V-MID 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
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