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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
65
81
En 20% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
13.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.0
2,784.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
81
Velocidad de lectura, GB/s
4,806.8
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
932
1523
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
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Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
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Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
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