RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
65
81
En 20% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
13.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.0
2,784.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
81
Velocidad de lectura, GB/s
4,806.8
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
932
1523
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link