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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
25
Por volta de -4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
24
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
13.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
2703
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
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G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
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