RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
13.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
46
Por volta de -70% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.8
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
3200
Por volta de 6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
27
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
13.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
8.8
Largura de banda de memória, mbps
3200
19200
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
2186
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link