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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
比較する
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
総合得点
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
総合得点
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
2
13.9
テスト平均値
考慮すべき理由
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
46
周辺 -70% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
8.8
1,519.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
3200
周辺 6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
27
読み出し速度、GB/s
2,909.8
13.9
書き込み速度、GB/秒
1,519.2
8.8
メモリ帯域幅、mbps
3200
19200
Other
商品説明
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
241
2186
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
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