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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
15.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
25
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
13.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
2991
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
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V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
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