RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
25
Por volta de -14% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.1
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
22
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
14.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
3012
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Corsair CM3X4GBA1600C9V4 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link