RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
25
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
22
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3012
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
SK Hynix HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link