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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
26
Por volta de 4% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.8
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
26
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
14.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
3055
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
AMD R744G2606U1S 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
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