RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
26
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
26
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3055
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link