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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
72
Por volta de 65% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
8.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
72
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
8.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
1728
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
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