RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
72
Wokół strony 65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
72
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
1728
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link