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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
30
Por volta de 17% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.2
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
30
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
14.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
3520
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
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