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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
30
左右 17% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.5
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
30
读取速度,GB/s
16.1
17.5
写入速度,GB/s
10.1
14.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3520
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
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Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
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