RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
30
Por volta de 17% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.0
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
30
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
15.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
3593
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link