RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
30
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3593
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link