RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
25
Por volta de -39% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.9
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.3
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
18
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
19.9
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
15.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
3421
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link