RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
25
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.9
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
18
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3421
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link