RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
48
Por volta de 48% menor latência
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.7
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
48
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
15.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
3047
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link