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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
26
Por volta de 4% menor latência
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
23.1
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
19.0
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
26
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
23.1
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
19.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
4276
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Kingston 9905474-012.A00LF 2GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
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