RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
26
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
23.1
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.0
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
26
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
23.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
19.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
4276
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link