RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
26
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
23.1
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.0
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
26
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
23.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
19.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
4276
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link