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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
InnoDisk Corporation 16GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs InnoDisk Corporation 16GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
InnoDisk Corporation 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
38
Por volta de 34% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
7.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
8.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
InnoDisk Corporation 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
InnoDisk Corporation 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
38
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
7.7
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
8.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
2163
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
InnoDisk Corporation 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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