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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
30
Por volta de 17% menor latência
Razões a considerar
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
30
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
13.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
3473
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
SK Hynix HMT351U6AFR8C-H9 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
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