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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
30
左右 17% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.2
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
30
读取速度,GB/s
16.1
18.2
写入速度,GB/s
10.1
13.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3473
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
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