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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
34
Por volta de 26% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
15.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.2
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
34
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
12.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
2978
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
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