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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
54
Por volta de 54% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
7.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
7.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
54
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
7.6
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
7.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
1611
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Kingston 9905624-023.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
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