RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Kingston KVR26N19D8/16 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
54
Около 54% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
7.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
54
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
7.6
Скорость записи, Гб/сек
10.1
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
1611
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Mushkin 991586 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C8 4GB
Mushkin 996902 2GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link