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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
36
Por volta de 31% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
15.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.8
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
36
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
10.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
2720
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB Comparações de RAM
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Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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