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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
36
左右 31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.8
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
36
读取速度,GB/s
16.1
15.4
写入速度,GB/s
10.1
10.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2720
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB RAM的比较
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
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