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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
15.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
25
Por volta de -4% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.4
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
24
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
11.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
2773
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
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