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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
15.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
25
Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.4
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
24
Velocità di lettura, GB/s
16.1
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
11.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
2773
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
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