RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
26
Por volta de 4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
12.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
8.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
26
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
12.6
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
8.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
2257
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Relatar um erro
×
Bug description
Source link