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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
26
左右 4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
8.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
26
读取速度,GB/s
16.1
12.6
写入速度,GB/s
10.1
8.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2257
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EF48E8W1333 2GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
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Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
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