Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB

Pontuação geral
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Pontuação geral
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Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB

Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    16.1 left arrow 15.4
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    11.9 left arrow 10.1
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 12800
    Por volta de 1.33 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    25 left arrow 25
  • Velocidade de leitura, GB/s
    16.1 left arrow 15.4
  • Velocidade de escrita, GB/s
    10.1 left arrow 11.9
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2764 left arrow 1870
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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