RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
15.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.9
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
15.4
Скорость записи, Гб/сек
10.1
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
1870
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GC64B88G0NF-CG 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link