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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
44
Por volta de 43% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
8.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
5.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
44
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
8.5
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
5.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
1660
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
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