RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
25
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
13.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
2889
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link