RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
16.8
Скорость записи, Гб/сек
10.1
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2889
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link