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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
25
Por volta de -9% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
23
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
12.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
2790
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
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Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
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