RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
25
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
23
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2790
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link