RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
30
Por volta de 17% menor latência
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
30
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
13.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
3447
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Elpida EBJ17RG4BBWD-GN-F 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT25664BF160BJ.M4F 2GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link