RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Comparar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Pontuação geral
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
43
66
Por volta de 35% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
9.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.4
14.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
66
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
9.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2506
2038
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link