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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB

总分
star star star star star
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

总分
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB

差异 规格 评论

差异

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB 需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    43 left arrow 66
    左右 35% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.6 left arrow 9.4
    测试中的平均数值
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB 需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.4 left arrow 14.9
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    43 left arrow 66
  • 读取速度，GB/s
    14.9 left arrow 16.4
  • 写入速度，GB/s
    9.6 left arrow 9.4
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2506 left arrow 2038

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