RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Comparar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Pontuação geral
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
43
Por volta de -139% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.6
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.6
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
18
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
20.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
18.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2506
3607
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Elpida EBJ41UF8BCS0-DJ-F 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link