RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Comparar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Pontuação geral
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
43
Por volta de -139% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.9
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.3
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
18
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
19.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
15.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2506
3421
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link