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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
43
左右 -139% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.9
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
18
读取速度,GB/s
14.9
19.9
写入速度,GB/s
9.6
15.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
3421
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Corsair CMSO8GX3M1A1333C9 8GB
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